AOTF13N50_TO-220F_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:13A 参数2：电压VDSS:500V 参数3：RDON:400mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高频率开关应用。其主要参数包括：漏极电流ID为13A，漏源击穿电压VDSS达500V，导通电阻RDON为400毫欧。高耐压与低导通电阻特性使其在电源转换、电机控制及照明驱动等场景中具备优异的性能表现，同时支持高效能与小型化设计需求。
