SMIRF13N50T2TL-HXY_TO-220F_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:13A 参数2：电压VDSS:500V 参数3：RDON:400mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有500V的漏源击穿电压（VDSS）和13A的额定漏极电流（ID），适用于中高功率场景。导通电阻（RDON）为400mΩ，可在开关过程中有效降低导通损耗，提高系统效率。器件采用标准封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源转换、电机控制、LED驱动及家电控制等通用电子设备中，满足多种电路设计需求。
