DMP3021SFVW-7-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:32A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:10mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V漏源电压（VDSS）和32A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至10毫欧，可有效减少功率损耗并提升整体效率。采用P沟道结构，适用于各类中高功率电源管理应用，如直流转换器、电源开关控制、电池管理系统及负载驱动电路。该器件具备良好的热稳定性和快速响应特性，适合用于对空间、效率与可靠性有较高要求的电子系统设计。
