DMP3021SFVWQ-7-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:32A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:10mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具有较高的电流承载能力，连续漏极电流ID可达32A，漏源电压VDSS为30V，满足多种中低压应用场景需求。导通电阻RDON低至10mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。适用于电源管理、开关电路、负载控制及便携式设备等场景，在高频开关和节能要求较高的电路设计中表现优异。器件采用成熟封装工艺，具备良好的热稳定性和可靠性，适合各类通用电子系统的设计与应用。
