SI7129DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:32A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:10mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS）和32A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至10毫欧，可支持高效功率传输。采用P沟道结构，适用于各类中高功率电源管理场景，如直流电源转换、负载开关控制及电池管理系统等。器件具备良好的热稳定性和响应速度，能够在较宽的工作温度范围内保持可靠性能，适合用于对效率与空间布局均有要求的电路设计。
