IPD80P03P4L07ATMA1-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:70A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:8mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为P沟道增强型场效应管（MOSFET），具备较高的电流承载能力和优良的导通特性。其最大漏极电流ID可达70A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON典型值为8mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电池供电设备及负载开关等应用场景，满足对功率控制稳定性和可靠性较高的需求。器件采用标准封装设计，便于散热与PCB布局，支持多并联使用，为各类中高功率电子系统提供高效、可靠的核心支持。
