SI4431DY-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5.8A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:43mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源电压（VDSS）和5.8A连续漏极电流（ID）的电气特性，导通状态下的源漏电阻（RDON）仅为43毫欧，有助于降低功率损耗。器件采用P沟道结构，适用于各类中低功率开关与电源管理电路。其高可靠性与快速响应能力，可满足多种电子设备对电压控制、负载切换及功率调节的需求，广泛应用于便携式电子产品、智能家居设备及通信模块等场景。
