ZXMP3A16N8TA-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5.8A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:43mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS）和5.8A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至43毫欧，可实现高效功率传输。采用P沟道结构设计，适用于多种电源管理和开关电路场景。其性能稳定，响应速度快，适合用于精密电子设备中的电压控制、负载开关及功率调节等应用，为电路提供可靠支持。
