SMIRF16N65T2TL-HXY_TO-220F_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:16A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:450mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和16A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为450mΩ，适用于中高功率开关应用。其较高的耐压能力和稳定的电流输出特性，适合用于电源变换器、马达控制、高频开关电路及各类通用电子设备中，能够满足多种电路设计对效率与稳定性的基本要求。
