AO4266E_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:10A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:10mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有60V漏源耐压（VDSS）和10A连续漏极电流（ID）的承载能力，导通电阻（RDON）低至10毫欧，可有效提升电源转换效率。采用N沟道结构设计，适用于多种开关电源、DC-DC转换器及负载管理电路。其具备良好的热稳定性和快速开关特性，能够满足高性能电子设备对功率控制与电能分配的应用需求，适合用于消费类电子产品及通信设备中。
