IRF8313TRPBF-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:10A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:12mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款场效应管（MOSFET）采用NN沟道结构，具备优良的导通与开关性能。其漏极电流ID可达10A，漏源电压VDSS为30V，适用于中高功率电源管理场合。导通电阻RDON低至12mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统整体效率。该器件可广泛应用于各类电源转换电路、电机驱动装置、电池管理系统以及高性能数字控制电路中，提供稳定可靠的电气表现和良好的热稳定性。
