FDS6982AS-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:10A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:12mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本场效应管（MOSFET）为NN沟道组合结构，具备良好的导通特性和开关响应。其最大漏极电流ID为10A，漏源耐压VDSS达30V，适用于中高功率电源系统。导通电阻RDON仅为12mΩ，有效降低功率损耗并提升整体效率。该器件可广泛应用于电源转换器、同步整流、电池管理系统及高性能计算设备中的开关电路，具备稳定的工作表现和较强的适用性。
