AOTF16N50_TO-220F_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:500V 参数3：RDON:260mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有20A连续漏极电流（ID）与500V漏源耐压（VDSS），适用于多种中高功率电源转换场合。导通电阻（RDON）为260mΩ，有助于降低导通损耗，提高转换效率。器件具备良好的热稳定性与可靠性，可广泛应用于开关电源、适配器、LED驱动电路以及各类电力电子设备中，满足对性能和稳定性有较高要求的电路设计需求。
