HUF75321D3ST-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:27mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有良好的电性能和稳定性，适用于多种功率管理场景。其主要参数包括：最大漏极电流ID为20A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至27毫欧，有助于降低导通损耗并提升系统效率。器件采用成熟工艺制造，具备优良的开关特性和热稳定性，适用于电源适配器、电池管理系统、智能家电及通信设备中的功率控制电路，满足高性能与小型化设计需求。
