SQ2319ADS-T1_BE3-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:68mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款场效应管（MOSFET）为P沟道增强型器件，支持5A连续漏极电流（ID），漏源耐压（VDSS）为40V，适用于中低功率电源管理与开关应用。其导通电阻（RDON）仅为68mΩ，能够有效降低导通损耗，提升系统能效。该器件广泛应用于各类小型电子设备中的电源控制、负载切换、电池管理和DC-DC转换电路。凭借优异的导电性能与稳定的电气特性，可满足多种通用电路对效率与可靠性的基本要求。
