IRLR3105TRPBF-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:27mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）采用先进工艺制造，具备优异的导通与开关性能。其主要参数包括：漏极电流ID为20A，漏源电压VDSS达60V，导通电阻RDON低至27毫欧，适用于需要高效能功率管理的多种场景。器件结构优化，支持快速开关操作，减少能量损耗，同时具备良好的热稳定性和可靠性。可广泛应用于电源转换、电机控制、消费类电子及高性能计算设备中的功率调节模块，为系统提供稳定、高效的运行表现。
