SQD50P04-13L_GE3-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:10mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具备优异的导通性能与高电流承载能力，适用于多种电源及功率控制场景。其主要参数为：漏极电流ID达50A，漏源电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至10毫欧，有助于降低功耗并提升系统效率。该器件常用于高侧开关电路、电池管理系统、智能家电及便携式电子设备中，提供稳定可靠的功率控制解决方案。
