DMNH6042SK3-13-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:27mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有20A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源电压（VDSS），适用于多种中高功率电路设计。导通电阻（RDON）低至27mΩ，有助于减少导通损耗，提高系统效率。器件具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源转换、开关控制、电机驱动及各类电子负载管理场合。其性能参数支持高频应用，适配多种常见电路拓扑结构，是一款通用性强、适用范围广的功率场效应管。
