SUD40151EL-GE3-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:10mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有40V的漏源耐压（VDSS），可承受最高50A的连续漏极电流（ID）。导通电阻（RDON）低至10mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。适用于高侧开关、电源管理及直流电机控制等场景，支持高频开关操作，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于各类中高功率电子设备的设计与应用中。
