DMPH4013SK3-13-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:10mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有40V的漏源耐压（VDSS），可承受最高50A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至10mΩ，有效降低导通损耗并提升系统效率。器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和高频响应特性，适用于电源管理、开关电路、负载控制及直流电机驱动等场景。其低导通电阻与高电流承载能力相结合，可在高性能电子设备中实现紧凑化设计与高效能运作。
