SMIRF4N65T9RL-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:4A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:2400mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备650V的漏源耐压（VDSS），可承载4A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为2400mΩ。该器件适用于开关电源、功率转换器及高电压控制电路，具备较高的击穿电压和良好的开关特性，适合用于对体积与效率有一定要求的中高压电子系统设计中，支持多种常见拓扑结构的应用实现。
