IRLR7833TRLPBF-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:100A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3.8mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高效率、高密度电源转换系统。其主要参数包括：最大漏极电流ID为100A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至3.8mΩ，有助于降低导通损耗并提升整体能效。该器件采用先进工艺制造，具备优良的热稳定性和可靠性，适用于各类中功率电源管理场合，如同步整流、DC-DC转换器及负载开关等应用。
