IRLR8256PBF-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:100A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3.8mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备较高的电流承载能力，最大漏极电流ID可达100A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至3.8mΩ。该器件在高效率功率转换和开关控制中表现出良好的电气性能，适用于多种电子系统设计。其低导通电阻有助于降低功耗，提升整体系统效率。可广泛应用于电源管理模块、高频开关电路以及各类高性能电子设备中，满足对功率密度与稳定性要求较高的使用场景。
