FDD6690S-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为50A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至7.5mΩ。该器件适用于需要高效功率控制的各类场景，能够提供稳定可靠的电气性能。凭借其低导通电阻和良好的热稳定性，该MOSFET可广泛用于电源管理、开关电路以及各类电子设备中，满足多种设计需求。
