STD96N3LLH6-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:100A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3.8mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备优异的电气性能与稳定性。其主要参数包括：最大漏极电流ID为100A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至3.8mΩ，有效降低功率损耗并提升系统效率。适用于高密度电源转换设计，如同步整流、DC-DC变换器及电源管理模块等场景。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热管理和可靠性，满足多样化电子设备对高效能、小型化的需求。
