MMFTP3401-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.2A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:45mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有4.2A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中功率电源管理场景。导通电阻（RDON）低至45毫欧，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用标准封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于便携式设备、智能家居控制模块、通信设备以及各类低电压驱动电路中，为电路设计提供高效、稳定的开关性能支持。
