SI3401A-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.2A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:45mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具备4.2A的漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS），导通电阻（RDON）仅为45毫欧，能够有效减少功率损耗并提升转换效率。器件采用成熟稳定的封装工艺，适用于多种中低功率应用场景，如电池供电设备、智能家电、通信模块及电源管理系统，为电路提供可靠的开关控制性能。
