MMFTP3334K-AQ-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.1A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:48mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为P沟道增强型场效应管（MOSFET），具备良好的导通与开关特性。其漏极电流ID为4.1A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON为48mΩ，适用于中低功率电源管理系统。器件采用成熟工艺制造，具有稳定性和可靠性，适合用于电源开关、电池管理、负载控制及便携式设备中的DC-DC转换电路，提供高效的功率调节能力。
