DMP2070U-13-HXY_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.1A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:34mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有20V的漏源耐压（VDSS），可承受连续漏极电流（ID）达4.1A，导通电阻（RDON）低至34毫欧。该参数组合使其在中低功率电源管理应用中表现出色，适用于各类便携式电子设备、消费类电子产品及小型电源转换装置中的高效开关控制。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于需要紧凑布局和高效能表现的电路设计场景。
