IPD30N06S3-24-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:22mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有60V的漏源击穿电压（VDSS）和30A的额定漏极电流（ID），适用于中高功率场景。导通电阻（RDON）低至22mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。该器件采用标准封装，具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于电源管理、开关电路、电机控制及LED驱动等多种电子设备中，为电路设计提供可靠的基础支持。
