IRLR2905TRLPBF-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:22mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的漏极电流（ID）和60V的漏源电压（VDSS），适用于多种中高功率应用场景。其导通电阻（RDON）仅为22mΩ，有效降低能量损耗并提升整体效率。器件采用通用型封装设计，具备良好的散热性能与可靠性，适用于电源转换、电机驱动、LED照明及储能设备等多种电子电路系统，满足多样化设计需求。
