BUK9230-55A-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:TO-252-2L 类别:场效应管(MOSFET) 最小包装:2500/圆盘 参数1:电流ID:30A 参数2:电压VDSS:60V 参数3:RDON:22mR 参数4:沟道类型:N 标价:欢迎咨询
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产品介绍
本N沟道场效应管(MOSFET)具有30A连续漏极电流(ID)和60V漏源耐压(VDSS),适用于多种中高功率电路应用。导通电阻(RDON)低至22mΩ,可有效减少导通损耗,提高系统效率。器件具备良好的热稳定性和耐用性,适用于电源管理、开关电源、电机控制、LED驱动及储能设备等各类电子电路中,满足多样化设计与性能需求。
