FDD26AN06A0-F085-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:22mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有60V的漏源电压（VDSS）和30A的连续漏极电流（ID），适合中高功率应用。其导通电阻（RDON）低至22毫欧，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用标准封装，具备良好的热稳定性和耐用性，适用于电源管理、开关电路、电机控制及各类嵌入式系统设计，为电路中的高频切换与高效能运作提供可靠支持。
