FDD5690-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:22mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源耐压（VDSS），适用于多种中高功率应用场景。其导通电阻（RDON）低至22mΩ，可有效减少导通损耗，提高整体效率。器件结构设计优化，具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于电源转换、开关控制、电池管理及各类电子设备中的功率电路部分。参数配置兼顾性能与实用性，适用于广泛领域的非特定通用型功率应用场合。
