SI4214DDY-T1-GE3-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:8.5A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:17mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款NN沟道场效应管（MOSFET）采用双栅极结构，单个通道的连续漏极电流（ID）为8.5A，漏源电压（VDSS）为30V，适用于中低功率开关应用。其导通电阻（RDON）为17毫欧，有助于降低导通损耗，提升系统效率。器件集成于紧凑封装内，具备良好的热稳定性和电气性能，适合用于DC-DC转换器、电源管理模块、负载开关及便携式电子设备中的高频开关电路，为多样化电子系统设计提供高效、可靠的解决方案。
