DMT3009UFVW-13-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:9mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS），适用于多种中等电压应用场景。其导通电阻（RDON）仅为9毫欧，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件采用通用型封装，具备良好的散热性能与电气稳定性，适合用于电源转换、负载开关、电池管理系统以及各类高频开关电路中，为高效、紧凑的电子设计提供有力支持。
