SI4804CDY-T1-GE3-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:8.5A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:17mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本场效应管（MOSFET）为NN沟道组合结构，具备优良的导通性能与快速开关特性。其漏极电流能力为8.5A，漏源电压耐受值为30V，适用于多种中高功率电路应用场景。17mΩ的低导通电阻（RDON）显著降低了导通损耗，提高了系统整体效率。该器件适合用于电源管理模块、消费类电子产品及便携式智能设备中的功率控制电路，满足高效能与小型化设计需求。
