SI4214DDY-T1-E3-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:8.5A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:17mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本场效应管（MOSFET）采用NN沟道结构，具备良好的导通特性和开关响应。其最大漏极电流ID为8.5A，漏源击穿电压VDSS为30V，适用于中等功率电路设计。器件导通电阻RDON仅为17mΩ，有效降低导通损耗，提高整体效率。该产品可广泛应用于电源转换、便携式电子设备及高性能计算模块等场景，满足高效、小型化电路系统的设计需求。
