STS8DN3LLH5-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:8.5A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:17mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本场效应管（MOSFET）采用NN沟道结构，支持双向导通与高效开关操作。其最大漏极电流ID为8.5A，漏源击穿电压VDSS为30V，适用于中低功率电源系统。17mΩ的超低导通电阻（RDON）显著减少导通损耗，提高整体效率。该器件可广泛应用于便携式电源管理、DC-DC转换电路、电池保护模块及高密度电子设备中，提供稳定可靠的电力控制性能，满足对效率与尺寸双重要求的应用场景。
