UPA2752GR-E2-A-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:8.5A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:17mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本场效应管（MOSFET）采用NN沟道结构，支持双向导通，具备良好的电流驱动能力和高效的开关性能。其最大漏极电流ID为8.5A，漏源耐压VDSS为30V，适用于中低电压功率控制场景。导通电阻RDON仅为17mΩ，有效减少导通损耗，提高系统能效。该器件可广泛用于电源转换、电机控制、电池管理及高精度开关电路中，满足高频运作与小型化设计需求，适合多种消费类与通信类电子设备应用。
