SH8K15TB1-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:8.5A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:17mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本场效应管（MOSFET）采用NN沟道结构，具备双向导通能力，适用于多种功率控制与开关应用。其漏极电流ID为8.5A，漏源电压VDSS为30V，支持中低电压场景下的稳定工作。导通电阻RDON低至17mΩ，有效降低导通损耗，提升整体系统效率。该器件适合用于电源管理、电池充放电控制、电机驱动及高频率开关电路，具备良好的热稳定性和响应速度，可满足消费类电子与通信设备对高性能功率器件的需求。
