SI4920DY-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:6A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:25mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本场效应管（MOSFET）采用NN沟道结构，支持双向导流，具备良好的开关特性和导通能力。其最大漏极电流ID为6A，漏源耐压VDSS达30V，适用于中低功率电源转换场景。导通电阻RDON仅为25mΩ，有效降低导通损耗，提升整体效率。该器件可广泛应用于中小型电子设备中的DC-DC变换、电池管理、电机驱动及负载控制等电路设计中，具有较强的适应性与稳定性。
