UPA2752GR-E1-A-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:8.5A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:17mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为NN沟道场效应管（MOSFET），具有较高的电流承载能力，漏极连续电流ID可达8.5A，漏源电压VDSS为30V，适合中低功率电源管理应用。导通电阻RDON低至17mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用双沟道结构，集成度高，适用于各类高效能转换器、负载开关、电池保护电路及便携式设备电源管理系统中，性能稳定，响应速度快，具备良好的热稳定性和抗干扰能力。
