ZXMN2A14FTA-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:3A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:45mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有20V的漏源击穿电压（VDSS）和3A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至45毫欧，可实现高效的电流控制与较低的导通损耗。适用于各类中低功率电源管理系统、电池供电设备、DC-DC转换器及负载开关电路，具备良好的热稳定性和响应速度，满足高密度电源设计对小型化与效率提升的需求。
