SI3400A-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5.8A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:28mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备30V的漏源击穿电压（VDSS）和5.8A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）仅为28毫欧，能够有效降低导通损耗并提升系统效率。器件适用于中高功率电源转换应用，如DC-DC变换器、同步整流电路、电池管理及负载开关等场景。其优异的热稳定性和快速响应特性，使其在高密度电源设计中表现出良好的可靠性与性能一致性。
