FDS8936A-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:6A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:25mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本场效应管（MOSFET）为NN沟道组合结构，具备优良的导通特性和双向电流控制能力。其漏极电流ID可达6A，漏源电压VDSS为30V，适用于中低功率电源管理应用。导通电阻RDON低至25mΩ，可有效减少能量损耗，提升系统效率。该器件适用于各类中小型电子设备中的DC-DC转换、电池充放电控制、电机驱动及负载开关等场景，具有良好的稳定性和广泛的电路兼容性。
