DMP3021SSS-13-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:12A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:10mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具备较高的电流承载能力与优异的导通特性，适用于多种电源管理及功率控制场景。其主要参数包括：漏极电流ID为12A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至10mΩ，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用标准封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于各类电源转换器、负载开关、电池供电设备及其他中高功率电子系统中的功率控制需求。
