UPA2737GR-E1-AX-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:12A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:10mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具备12A的额定漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），可满足中高功率应用需求。器件导通电阻仅为10mΩ（RDON），有效降低导通损耗，提升整体系统效率。采用成熟稳定的制造工艺，确保良好的热稳定性与长期可靠性。适用于各类电源转换、开关控制、负载管理及便携式电子设备中的高效功率切换场景，为电路设计提供高性能的基础元件支持。
