SI4425DY-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:12A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:10mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本P沟道场效应管（MOSFET）具有30V漏源电压（VDSS）和12A连续漏极电流（ID）能力，满足中功率开关应用需求。导通电阻低至10mΩ（RDON），可显著减少导通损耗，提高能效。器件结构设计优化，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源管理、开关电路、负载控制以及各类便携式电子设备中的高效功率切换场合，为系统提供稳定、可靠的电子控制支持。
