SI4151DY-T1-GE3-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:5.8mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS），可承受连续漏极电流（ID）达15A，导通电阻（RDON）低至5.8mΩ，有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于各类电源管理、开关电路及负载控制等场景。其P沟道结构在逻辑电平驱动和低边开关应用中表现出色，是多种高性能电子设备的理想选择。
